化合物半導体・結晶材料

化合物半導体基板-InP、CdZnTe(CdTe)-

高品質と安定性はお客様より高い評価と信頼を得ています。III・V化合物半導体のInP、II・VI化合物半導体のCd(Zn)Teを製造しております。最近の需要と製品要求に応える製品を提供しております。

種類 薄膜材料
主要製品 InP(インジウムリン)、CdZnTe(CdTe)(カドミウムテルル)
主な一次用途 発光素子、受光素子、超高速電子素子等、赤外線検出器、放射線検出器等
カタログ 【製品カタログ:英語版】InP、CdTe

ラインナップ

  Size Orientation Dopant
InP 2inch
3inch
4inch
(100) S, Sn, Zn, Fe, None
  Size(mm) Orientation Dopant
CdZnTe 10×10-
95×95
(111),(211),(100) Zn, None

InP基板

用途例

基地局

データセンター

光通信モジュール
(受発光素子)

太陽光発電

InP基板の特徴

  • 光通信用の受発光素子材料として必須であるInP基板を長年提供しております。
  • 世界最高レベルの品質で世界トップシェアを維持しております。
  • デバイス品質向上のため、高い加工精度のウェハを提供しております。
TTV:1.5µm(4” InP wafer)
Total Thickness Variation

InPの新しい用途へのご提案

高性能な衝突防止センサを実現可能

目に安全な波長でのレーザーレーダーを実現可能

CdZnTe基板

用途例

医療、分析用放射線センサ素子

宇宙、環境用赤外線センサ素子

太陽光発電

CdZnTe基板の特徴

  • 当社独自の単結晶育成方法を用いることで、世界最高の高品質、大面積のCdZnTe単結晶を実現しております。
  • 他マテリアルに比べCdZnTeは高精度な放射線検出が可能で、安定したX線検出を可能にします。
  • 大型の赤外線センサを実現可能にする均一なZn濃度をもつ基板を提供しています。
大面積のCdZnTe基板
CdZnTe結晶の均一的なZn濃度の面内分布(%)
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薄膜材料事業部 化合物半導体ユニット
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