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产品介绍

UBM・化镀加工服务

概要

打线接合(Wire Bonding)或 锡球(Solder Bumping)是在Power半导体时兴的先进技术。
为提高半导体Wafer上电极和锡球的密着性所需之金属镀层、本公司用化镀(又称无电镀或無電解鍍)UBM加工服务是一个最好选择。

UBM(Under Bump Matallurgy 凸块下金属层)

半导体前制程中,在已形成电路的晶圆电极焊点上,会镀上一层金屑膜以提升焊锡的密着度。随着半导体封装技术的小型化、高集积化,LSI或IC等晶片的接合方法中,被扩大采用的「覆晶法」就必须使用UBM制程。

本公司化镀UBM的优点

  • 技术方面
    • 坚固粘着性
    • 耐剥离且高密着度
    • 防止扩散金属
    • 处理Wafer φ到 12英寸
  • 生产性
    • 高速生产性 (50 wafers 90分)
    • 交期快
    • 低成本

本公司化镀UBM制程的特点

本公司化镀UBM制程

一般电镀制程概要

本公司化镀UBM代工服务的规格、特性

Description Specification (Trial production)
Wafer Si, GaAs Si, GaAs + SiC
Wafer size 50-300mm φ (2"-12") As on the left
Wafer thickness ≧150µm Min 80µm
Bond pad metal Al, AlSi, AlCu, AlSiCu, Cu, Au As on the left
Passivation opening ≧60µm Min 4µm
Applications Logic, Memory, Image sensor, Power device, and any others  
UBM E-less Ni/Au, E-less Ni/Pd/Au (Pb-free, CN-free bath)  
Ni (material) Ni (P 5–10%)
Ni thickness 1-10µm
Pd thickness 0.05-0.2µm
Au thickness 0.03-0.2µm
Thickness uniformity ±10% (200mm φ wafer)

代工服务的流程

  1. 请贵司提供wafer
  2. 在日本磯原(Isohara)工厂或台湾桃園龙潭工厂処理
  3. 回货

UBM化镀加工线

~6英寸加工线(1号机)

~12英寸加工线(2号机)

~12英寸加工线 (3号机)

~12英寸加工线 (台湾)

  • 加工线环境
  • 无尘室级数 Class1000
  • 程式控制全自动生产制造
  • 有日本、台湾两个据点可对应

本公司 UBM的化镀特点

特点

  • 本公司独创开发的化镀流程可减轻电位差
  • 具备完整的分析能力及评估设备
  • 晶圆最大可处理到12英寸

本公司具备评估・检查设备

本公司具有分析设备仪器的范例

表面组织观察 FIB-SEM、FE-SEM、SPM
表面元素分析 FE-EPMA、FE-AES、XPS
表面官能基分析 Raman、FT-IR、UV
金属・結晶构造解析 XRD

⇒在半导体领域所累积经验而得knowhow活用在表面构造・元素解析

自行开发为本公司工程基础特点

解决IC既有的电位差问题、Pad种类、面积差异产生的镀膜厚度差

本公司 UBM加工是以独创的添加剂及化镀方法大幅抑制Pad电位差、面积差异产生的镀膜厚度差。

微小Pad也能均匀度高的化镀

不同电位的Pad膜厚也能几乎一样

可抑制化Au成膜后的孔蚀也可提升焊錫的接合性

本公司的化镀Au完全不含氰化物及使用特殊添加剂、因此Au的化镀层可以有效的抑制孔蚀。并能碉保焊錫的接合性。 另外、会将化镀处理液及薄膜的分析、回馈解析结果、进而开发化镀液以提升焊锡的接合性。

联系方式

台灣日鑛金屬股份有限公司(Nikko Metals Taiwan Co., Ltd.)
UBM部門業務
電話:(886)-3-499-1699