化合物半导体/晶体材料

化合物半导体基板-InP、CdZnTe(CdTe)-

高品质和稳定性赢得了客户的高度评价和信赖。我们生产III-V族化合物半导体的InP和II-VI族化合物半导体的Cd(Zn)Te。提供满足近期需求和产品需求的产品。

种类 薄膜材料
主要产品 InP(磷化铟)、CdZnTe(CdTe)(碲化镉)
主要基本用途 发光元件、光接收元件、超高速电子元件等,红外线探测器、辐射探测器等
产品目录 【产品目录:英文版】InP、CdTe

产品阵容

  Size Orientation Dopant
InP 2inch
3inch
4inch
(100) S, Sn, Zn, Fe, None
  Size(mm) Orientation Dopant
CdZnTe 10×10-
95×95
(111),(211),(100) Zn, None

InP基板

用途例

基站

数据中心

光通信模块(光接收/发光元件)

太阳能发电

InP基板的特点

  • 我们长期提供光通信用途中作为光接收/发光元件必不可少的InP基板。
  • 以世界最高水平的品质维持世界第一的市场份额。
  • 为提高设备品质而提供高加工精度的晶圆。
TTV:1.5µm(4” InP wafer)
* Total Thickness Variation

对InP新用途的提案

可实现高性能防碰撞传感器

可实现波长对眼睛安全的激光雷达

CdZnTe基板

用途例

医疗、分析用辐射传感器元件

航天、环境用红外线传感器元件

太阳能发电

CdZnTe基板的特点

  • 通过采用本公司独创的单晶培养方法,实现了世界上最高品质的大面积CdZnTe单晶。
  • 与其他材料相比,CdZnTe可进行高精度辐射检测,实现稳定的X射线检测。
  • 我们提供可实现大型红外线传感器的具有均匀Zn浓度的基板。
大面积CdZnTe基板
CdZnTe晶体的均匀的Zn浓度面内分布(%)
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部门名称
薄膜材料业务部 化合物半导体小组
+81-3-6433-6000(总机)

受理时间9:00至17:50
(周末及节假日除外)