フラットパネルディスプレイ用スパッタリングターゲット
IGZOスパッタリングターゲット
特長
IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide)は、次世代TFTの半導体材料として、アモルファスシリコンからの置き換えが期待されている透明酸化物半導体です。当社はITOターゲットで培った粉末冶金焼結技術を応用し、高密度で大型のIGZOターゲットを開発し、お客様にご提供しています。また、スパッタパフォーマンスの改善にも積極的に取り組んでいます。
用途
TFT用材料
技術内容・特性
| 純度 | 4N |
|---|---|
| 形状 | ロータリータイプ、プレーナータイプを問わず、全スパッタ装置・全サイズで、対応可能。 |
| 組成 | 標準組成 In：Ga：Zn＝1：1：1 (at.％) |
均一性のための製造方法
3種類の酸化物紛は純水中で粉砕・混合されることで、サブ・ミクロンオーダーで均一なスラリー（泥漿）に調製された後、熱風中で噴霧乾燥され、直径50μm程度の顆粒になります。この際、瞬時に乾燥されるため、3種の酸化物が均一に分散された顆粒が得られます。この顆粒を加圧成型によりターゲット形状にするため、面内、厚み方向に組成変化の無いターゲットが得られます。
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